一、关于光刻机

这里插一段，专门说说这个光刻机。传统的光刻技术，通常使用深紫外光（DUV）作为光源，波长大约在193nm（纳米）。光波的波长，限制了光刻工艺中最小可制造的特征尺寸（即分辨率极限）。随着芯片制程的不断演进，传统的DUV光刻技术，逐渐无法满足要求，于是就有了EUV光刻机。

EUV光刻机使用极紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）作为光源，波长仅为13.5nm，远远小于DUV。这使得EUV光刻能够创建更小的特征尺寸，满足先进芯片制程（如7nm、5nm、3nm）的制造需求。

EUV光刻对光束的集中度要求极为严格，工艺精度要求也非常变态。例如，EUV光刻机用于反射的镜子长度为30cm（厘米），表面起伏不得超过0.3nm（纳米）。相当于修一条从北京到上海的铁轨，要求铁轨的起伏不能超过1mm。

极高的技术指标要求，使得EUV光刻机的制造变得非常非常困难。全球范围内能够研发和制造EUV光刻机的企业屈指可数。而居于领先地位的，就是大名鼎鼎的荷兰ASML（阿斯麦）公司。

根据ASML透露的信息，每一台EUV光刻机，拥有10万个零件、4万个螺栓、3千条电线、2公里长软管。EUV光刻机里面的绝大多数零件，都是来自各个国家的最先进产品，例如美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等。

单台EUV光刻机的造价高达1亿美元，重量则为180吨。每次运输，要动用40个货柜、20辆卡车，每次运输需要3架次货机才能运完。每次安装调试，也需要至少一年的时间。

ASML的EUV光刻机产量，一年最高也只有30部，而且还不肯卖给我们。整个芯片产业里面，“卡脖子”最严重的，就是这个EUV光刻机。

二、刻蚀

好了，继续聊芯片制造流程。

现在，图案虽然是显现出来了，但我们只是去掉了一部分的光刻胶。我们真正要去掉的，是下面的氧化层（未被光刻胶保护的那部分）。

也就是说，我们还要继续往下“挖洞”。这时要采用的工艺，就是刻蚀。

刻蚀工艺分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。

湿法刻蚀，是将晶圆片浸入到含有特定化学剂的液体溶液中，利用化学反应来溶解掉未被光刻胶保护的半导体结构（氧化膜）。

干法刻蚀，是使用等离子体或者离子束等来对晶圆片进行轰击，将未被保护的半导体结构去除。

刻蚀工艺中，有两个概念需要关注。一是各向同性（各向异性），二是选择比。

如上图所示，湿法刻蚀的时候，会朝各个方向进行刻蚀，这就叫“各向同性”。而干法刻蚀，只朝垂直方向进行刻蚀，叫“各向异性”。显然后者更好。

刻蚀的时候，既刻蚀了氧化层，也刻蚀了光刻胶。在同一刻蚀条件下，光刻胶的刻蚀速率与被刻蚀材料（氧化层）的刻蚀速率之比，就是选择比。显然，我们需要尽可能少刻蚀光刻胶，多刻蚀氧化层。

目前，干法刻蚀占据了主导地位，是业界的优先选择。

因为干法刻蚀具有更强的保真性。而湿法刻蚀的方向难以控制。在类似3nm这样的先进制程中，容易导致线宽减小，甚至损坏电路，进而降低芯片品质。

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