上一篇中介绍了晶体管家族中重要分支的MOS管，接下来继续介绍另一个常见的概念三极管，也称之为BJT（Bipolar Junction Transistor）双极结型晶体管，三级管的结构依旧绕不开本征半导体，P/N型半导体和PN结的概念。

选取一块本征半导体，在其左边较小的区域中掺杂较高浓度的磷原子，其体内的硅原子融合了较多的磷原子，形成N型半导体，其自由电子也就更多。

在给中间极小区域掺杂少量浓度的硼原子，较少的硼原子也就具有较少的空穴，形成P型半导体。

在剩下的右侧较宽的区域掺杂正常浓度的磷原子，其中的自由电子数量要比左侧的少很多，形成N型半导体。

此时在P/N型半导体的中间会形成PN结，也就是耗尽层。此时可以简单的理解为上述的NPN型三极管，就是由两个二极管的P区域相连。

再将三个区域分别接上引脚，命名分别为E:发射极，C:集电极，B:基极。

接下来给发射极和基极接上一个电源，当电源正极连接P型半导体时，三极管内开始产生正向偏置，如果电压超过0.7V左右，该正向偏置就会突破耗尽层，也就是我们在PN结文章中所说的，PN结会在外电场的作用下变窄。

此时发射极中的电子开始填充基极中的空穴直至完全导通，为了减少P型半导体中空穴过多占用发射极来的电子，所以基极才会设计成少量掺杂并且做的很薄。这样就会有更多的电子在三极管中流动，为这些电子流向集电极创造条件。

在发射极和集电极之间再接入一个电源组成主电路，正极连接集电极，负极连接发射极，此时集电极中带负电的自由电子会被吸引到主电源正极，此时左侧PN结会变宽。

此时左侧N区域接入两个电源负极会输入电子，再加上本身高浓度掺杂含有大量自由电子的，当BE电源正极每吸引一个电子形成空穴，就会涌入大量自由电子试图抢占该空穴，但是最后只有一个电子可以占据这个空穴。

对于那些多出来的自由电子会积攒在基极区域。同时积攒的电子之间同性相斥的力远小于右侧正极对其的吸引力，这些多余的电子就会产生漂移运动，突破耗尽层进入到右侧N型半导体，最终流向主电源的正极形成集电极电流。

整个过程是，基极区每出现一个空穴就会有β倍的电子会漂移到集电极，那么也就是说加大BE的电压吸引更多的电子形成更多的空穴，就会有更多的电子漂移到集电极。

电子流动的方向和电流的方向相反，所以流入基极的电流为Ib，流入集电极的电流为Ic，Ib*β=Ic，然后再将两个电流相加就是等于总的流出发射极的电流。当然在放大倍数β都会在三极管的选型手册中给出。

以上就是三极管的基本原理了，可以看到三极管本质还是通过电流实现控制，通过电子和空穴两种载流子导电，其优点是电流控制力度大，可以精准调节流量，但是功耗也较大不适合高频电路。

上一篇中介绍的MOS管则是通过电压实现控制，其优缺点和三极管正好相反，功耗较小，开关频率快，但是开关通断控制阈值较低易受静电影响。

那是否有融合两者长处，规避短处的元器件呢，答案也是肯定的这就是我们下一篇将介绍的IGBT。

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