美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM,内存密度提升35%

来源:众壹云 发布日期:2022-11-29 15:20

据共同社报道,美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司”已在该市广岛工厂启动最高端的DRAM量产。

据美光介绍,1β技术可将能效提高约15%,内存密度提升35%以上,单颗裸片容量高达16Gb。

1β制程技术能实现比以往更低的每比特功耗,为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备——消费者在使用高能耗、数据密集型应用时,延长电池续航时间将至关重要。

全新JEDEC增强型动态电压和频率调节扩展核心(eDVFSC)技术使基于1β的LPDDR5X更加节能。在高达3200Mbps的双倍频率层上添加eDVFSC,可改善节能控制,从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。

最后,美光表示,美光于未来的一年中将在诸如嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等其他应用中量产1β节点,推出包括显示内存和高带宽内存等产品。

据了解,广岛工厂是美光在2013年收购尔必达时所获,于2019年建设新厂房等,致力于尖端技术产品DRAM的生产。日本共同社消息指出,日本政府9月为夯实其半导体生产基础,宣布将最多补助464亿日元用于广岛工厂增强设备。

内存厂商上一代DRAM芯片通过为1X、1Y、1Z区分工艺,1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。据业界消息,最新的1α、1β和1γ可能分别相当于14-12nm、12-10nm以及10nm。