功率半导体,氧化镓崭露头角

作者:admin  来源:半导体芯闻  发布时间:2023-09-06  访问量:2851

2023年8月28日,矢野研究所公布了SiC(碳化硅)等宽带隙(WBG)半导体单晶全球市场调查结果。


调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。


2023年全球市场(基于制造商出货值)预计将达到268.85亿日元,比上年预测值182.71亿日元增长47.1%。按材料划分,2023年SiC市场规模为202.93亿日元(成分比例为75.5%)、GaN为46.47亿日元(17.3%)、Ga2O3(氧化镓)为5.31亿日元、10.8亿日元(4.0%)%),AlN(4.0%),金刚石 3.35 亿日元(1.2%)。SiC越来越多地被应用于太阳能发电设备和汽车等许多应用中,预计将占据四分之三的市场份额。


调查显示,SiC市场已进入全面成长期,2025年后汽车应用采用将是快速增长的关键点。GaN越来越多地应用于LED和LD等照明应用,在功率器件和高频应用中具有优异的特性,GaN器件的部署时机即将到来。


与SiC器件相比, Ga2O3具有更高的成本和性能潜力,因此进入市场的玩家数量正在增加,据说它在功率器件市场中势头强劲。AlN作为深紫外LED单晶已获得一定程度的需求,但使用蓝宝石基板的深紫外LED的性能正在提高,因此我们将扩展到可以发挥AlN基板优势的领域。 


该研究所将加速钻石研发视为 2023 年的热门话题。晶圆厂商IPO(首次公开募股)和联合研究成果不断增加,材料和器件的开发不断取得进展。截至2023年,Aubrey(原Adamant Namiki Precision Jewel)即将开始供应直径为2英寸的金刚石晶圆,Okuma Diamond Device正准备批量生产使用金刚石的电子设备。该研究所表示,金刚石的市场拓展必须安装在小众、高附加值的设备上,并满足其他材料无法满足的需求。


主要受功率器件应用的推动,宽带隙半导体单晶的全球市场预计到 2030 年将达到 3,176.12 亿日元。按材料分,SiC为3073.48亿日元、GaN为52.8亿日元、Ga2O3为30.56亿日元、AlN为13.5亿日元、金刚石为5.78亿日元。按材质划分,SiC占96.8%,可见宽禁带半导体中SiC市场的增长预测非常高。