佳能于2023年10月发布了纳米压印半导体制造设备“FPA-1200NZ2C”。业内专家认为，佳能的设备还需要很长时间才能成为ASML的EUV（极紫外）光刻设备的“竞争对手”。

分析师表示，佳能推出的纳米压印光刻（NIL）半导体制造设备是ASML几乎专门为全球最先进的半导体制造提供的EUV（极紫外）技术。预计该技术还需要很多年的时间与光刻设备相媲美。

2023年10月，佳能发布了FPA-1200NZ2C，这是一款半导体制造设备，采用NIL技术，将刻有电路图案的掩模压到晶圆上的抗蚀剂上，形成电路图案。这项技术不同于 ASML 的 EUV 光刻设备专门使用的光学装置，用于将图案投影到掩模上。

专家表示，佳能的 NIL 技术目前面临几个障碍，包括准确性和对中国的销售。

比利时研究机构imec可持续半导体技术和系统项目经理Cedric Rolin表示：“纳米压印技术在质量上要达到与EUV相同的水平将非常困难。极高。”

美国研究公司 Gartner 研究副总裁 Gaurav Gupta 表示：“至少在未来两年内，ASML 将保持其作为几乎唯一一家能够制造 2 纳米及更新一代半导体芯片的光刻设备供应商的地位。”我认为我们可以通过这样做来维持它。”

他补充说，“佳能的设备可能会受到出口管制，这将阻止中国使用其高端光刻设备。”

“即使良率和吞吐量有所提高，也至少需要两到三年的时间才能投入量产。这是假设一切按预期进行的情况。根据我们的经验，这种创新技术通常需要相当长的时间才能实现。在我们看到任何全面商业化的迹象之前就宣布了。”

佳能在新闻稿中表示，“我们的 NIL 技术可以形成最小线宽为 14 nm 的图案，相当于逻辑半导体制造中的 5 nm 节点。通过改进掩模，我们可以形成最小线宽的图案。”宽度为14纳米，相当于逻辑半导体制造中的5纳米节点，预计还将支持10纳米宽度水平。