韩国科学技术院的一组科学家周五表示，他们已经开发出了亚纳米级半导体所需的技术。

由韩国科学技术院教授 Lee Ka-young 领导的团队表示，这项新技术利用了一种名为双极性二硫化钼 (MoS2) 的新物质，而不是传统的硅。

两家亚洲芯片制造商，三星电子和台积电，正在采用最新技术，使用3纳米工艺。

这两家公司及其美国竞争对手英特尔将开始大规模生产基于 2 纳米工艺的芯片，同时也在亚纳米尺度上开展工作。

一纳米是十亿分之一米。人类头发的厚度在 50,000 到 100,000 纳米之间。

芯片制造商正在努力使产品更加紧凑，因为芯片上的晶体管越小，其性能就越高，功耗就越低。

Lee告诉UPI：“世界现在正在竞相开发针对1纳米或更小的计算机芯片节点。在这种发展中，由于短沟道效应等问题，传统硅并不是一种好的材料。”

“MoS2 的优越性在于，由于其独特的结构，它可以有效地解决此类问题。然而，科学家们一直在努力用它制造双极半导体。在此背景下，我们展示了实现高性能双极 MoS2 器件的简单策略。”她说。

短沟道效应发生在由超小型器件制成的超大规模集成电路中，由于电流泄漏等问题对其性能产生负面影响。

双极性半导体意味着它可以传输正电荷和负电荷，这是芯片所需的基本功能。

Lee 补充说，她的团队的新发现还有另一个优势，即多功能性，因为基于 MoS2 的器件可以用作晶体管、二极管和光电探测器。

该研究最近发表在同行评审的科学杂志《美国化学学会纳米》上。