随着我们进一步进入现代，我们可以开始注意到技术发展和进步的某些趋势。我们肯定且迅速地走向一个世界，在这个世界中，技术设备和小工具不仅在性能方面继续呈指数级提高，而且在尺寸和功耗方面也显着降低。技术不断变得更好、更强大、体积更小。这里的目标是从尽可能少的能源和空间消耗中提取最大程度的性能，从而使流程高效。FD-SOI 技术的工作原理类似。

什么是FD-SOI？

FD-SOI 代表完全耗尽型绝缘体上硅，它是一种平面工艺技术，与传统使用的体技术相比，它提供了更强大、更高效的晶体管功能和特性。从本质上讲，它可以被认为是绝缘体上硅或 SOI 的简化。FD-SOI 由两个非常薄的层制成，它们共同形成超薄体和掩埋氧化物全耗尽 SOI，或 UTBB-FD-SOI。第一层是掩埋氧化物，一种位于薄基硅顶部的绝缘体，它是第二层并实现晶体管通道。这个晶体管被称为“完全耗尽”的原因是它整体上很薄，不需要对沟道进行掺杂。

FD-SOI 的好处

这种晶体管的主要优点之一是它可以防止性能漏电流的泄漏，因为埋入氧化物绝缘层会捕获从源极到漏极生长的电子，并降低两级之间的电容。在传统的体技术中，没有超薄氧化层意味着电流在从源极到漏极的过程中可能会损失和耗散，从而导致不必要的功率和能量损失，以及低效的系统。

FD-SOI 的好处

FD-SOI 可能优于传统技术设置的另一个原因是它提供了体偏置，这一特性非常有限，由于其电流泄漏特性，在块体技术中很少见。绝缘层不仅可以实现偏置功能，还可以让用户施加更高的偏置电压，从而更好地对晶体管进行动态控制。偏置使用户能够参与快速切换，并确保与其性能相比，能耗远低于传统系统，从而使其效率更高。

晶体管的尺寸可以缩小到 10 纳米的大体，使其成为一个占用空间极低但功能强大且高效的系统。开发的风险也小得多，这就是为什么它为投资成本提供了更好的价值。

考虑到其耐受辐射的能力，FD-SOI 技术尤其可用于汽车行业。不仅如此，由于与物联网及其各种组件的相关性和关联性，这项创新且有用的技术也有望在现代市场上掀起波澜。