MRAM IP 代表磁阻随机存取存储器 IP。它是一种非易失性存储器，它不使用介电层或像 DRAM 和 FRAM 那样的铁电物质，而是将数据存储在磁畴或存储元件中。这是在也称为磁隧道结的设置的帮助下完成的，每个单元构成一个单元和多个单元，构成用于存储设备的网格。

它的工作原理是两个铁磁板被一层薄薄的绝缘隔开。其中一块板是永磁体——这意味着它已预先设置为固定极性。而另一个板是多功能的，它的磁化可以改变，以便在与外部磁场匹配时创建一个记忆存储域。

磁阻随机存取存储器 (MRAM) IP 核

当测量电池两端的电阻时，会从这些电池读取数据，因为它会随着磁化极性的变化而变化。数据写入通过多种方式进行，其中一种是经典设计，其中写入线以直角排列，当电流通过时，两条线的连接处会产生感应磁场，该力由可写盘。这些线围绕每个单元格组织。

说到 MRAM IP Core 存储器的特性，它在几个方面与 DRAM 相似。就像后者一样，MRAM 是一种高密度 RAM，其结构由一个电容器（即存储元件）、导线和用于控制的晶体管组成。这种细胞也称为 1T1C 细胞。这种结构和高密度也意味着与市场上的其他一些 RAM 相比，MRAM 是一种相对便宜的选择。

与竞争对手相比，MRAM IP 核的功耗更低，运行速度更快。这是因为与 DRAM 不同，MRAM 在失去电荷时确实需要刷新，并且即使在电源关闭或移除时仍保留内存，类似于闪存 RAM 的操作方式。但与后者不同的是，MRAM 不需要大的、耗能的脉冲来重写芯片，也不需要电荷泵的帮助，写入的功耗仅略高于读取的功耗。因此，对于那些希望延长使用寿命并降低运营成本的人来说，MRAM 是一个更好的选择。