“光刻33%法则”在业界被称为“四章法则”，它是在1980年代中期由荷兰ASML公司针对当时主流的步进式光刻机所提出的一种理论。

• 光刻胶的性能：光刻胶的性能对套刻精度有显著影响。它决定了图形的套刻分辨率和边缘清晰度，光刻胶的收缩和厚度不均匀性都可能导致实际图案尺寸与设计尺寸之间的偏差。
  
  
• 掩膜光刻图形的偏差：掩膜上的图形与设计图形之间的偏差会影响套刻位置的准确性，可能导致图形位置的偏移和形状的变化。
  
  
• 光刻机本身的误差：光刻机的稳定性和精度，包括对准系统和光学系统的误差，也会影响套刻精度。
  
  

• 调整光刻胶的厚度，以减少收缩带来的影响。
• 使用更高精度的光刻机，以提高整体的套刻精度。
• 进行后续的校正和修复工作，以调整图案尺寸至设计要求。