在晶体生长过程中，人们经常会提到一种晶体的生长方法，叫做提拉法。
设备示意图如下图所示，将多晶原料装在坩埚中，并被加热到原料的熔点以上，此时，坩埚内的原料就熔化成熔体。在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端带有一个夹头，其上装有籽晶。降低提拉杆，使籽晶插入熔体中, 只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后缓慢地向上提拉和转动晶杆, 熔体在籽晶表面凝固，得到与原籽晶结晶学取向相同的棒状晶体。在提拉过程中，缓慢地降低加热功率，籽晶就逐渐长粗，小心地调节加热功率，就能得到所需直径的晶体。整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里，以便使生长环境中有所需要的气氛和压强.。通过外罩的窗口，可以观察到生长情况。
(1)在晶体的生长过程中，可以方便地观察晶体的生长状况;(2)晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，可以减少晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；(3)可以方便地使用定向籽晶得到完整的具有所需取向的晶体。(1)提拉法广泛用于生长 Si、Ge、 GaAs等半导体单晶材料，(2)为防止物料中 As、 P等的损失，反应经常在高压惰性气氛中进行, 或使用液相封盖技术。(3)目前提拉法已用于生产激光发生器件，例如Nd-YAG等激光材料。下图是采用提拉法生长的晶锭，它经切割后成为我们半导体行业常接触的晶圆。
晶锭经切割后，成为晶圆，晶圆外观如下图：
上面讲解了一种晶体生长的方法，下面大致讲解一些晶体的应用。在外力作用下发生变形时，其表面产生电荷效应的晶体；
在外加电场作用下折射率发生变化，从而使通过晶体的一束激光分解为两束偏振方向相互垂直的偏振光，并产生一根位差效应的晶体。
组成晶体的原子因外层电子在光作用下偏离其平衡位置而发生极化
吸收足够的能量之后能发出一种特殊的强光——"激光"！
电阻率介于典型的金属和绝缘体之间的一类物质，其电阻率在10-2至107周期表上第IV主族的硅(Si)和锗(Ge)，此外还有III～V族的砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)和II～VI族的硒化锌(ZnSe)等。
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